Umstellung von einer herkömmlichen Silizium-basierten Aktiver Oberwellenfilter zu einem, der Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs stellt einen großen Technologiesprung dar, und das Kühlsystem ist direkt davon betroffen. Hier ein detaillierter Blick auf das Kühlsystem eines Aktiver SiC-Oberschwingungsfilter und hebt dabei hervor, wie es sich von herkömmlichen IGBT-basierten AHFs unterscheidet. Der entschei...
Einleitung: Wenn aus „Auftanken“ „Laden“ wird, wird die Stromqualität zum neuen Sicherheits-Schlachtfeld Die kürzliche Selbstentzündung eines Fahrzeugs in Shanghai während des Ladevorgangs, deren offizielle vorläufige Erklärung die „Verwendung von minderwertigem Strom durch den Besitzer“ anführte, hat die Öffentlichkeit schockiert. Dieser Vorfall löste nicht nur Panik unter den Besitzern aus, sond...
Die Wahl zwischen der Installation eines Aktiver Oberwellenfilter (AHF) Die Entscheidung, ob man auf der Leistungsseite (am Netzanschlusspunkt - PCC) oder auf der Lastseite (an der Quelle der Oberschwingungen) arbeitet, ist eine wichtige Konstruktionsentscheidung mit erheblichen technischen und finanziellen Auswirkungen. Hier finden Sie eine detaillierte Analyse, die beide Installationsstrategien ...
Das Streben nach Perfektion Stromqualität durchläuft einen grundlegenden Wandel, der durch ein neues Halbleitermaterial angetrieben wird: Siliziumkarbid (SiC). Im Vergleich zu einem traditionellen Aktiver Oberwellenfilter (AHF) Das Modell mit SiC-Basis offenbart mehr als nur inkrementelle Verbesserungen; es demonstriert einen Quantensprung in Leistung, Effizienz und Funktionalität. Seit Jahrzehnte...
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