Umstellung von einer herkömmlichen Silizium-basierten Aktiver Oberwellenfilter zu einem, der Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs stellt einen großen Technologiesprung dar, und das Kühlsystem ist direkt davon betroffen. Hier ein detaillierter Blick auf das Kühlsystem eines Aktiver SiC-Oberschwingungsfilter und hebt dabei hervor, wie es sich von herkömmlichen IGBT-basierten AHFs unterscheidet. Der entschei...
Das Streben nach Perfektion Stromqualität durchläuft einen grundlegenden Wandel, der durch ein neues Halbleitermaterial angetrieben wird: Siliziumkarbid (SiC). Im Vergleich zu einem traditionellen Aktiver Oberwellenfilter (AHF) Das Modell mit SiC-Basis offenbart mehr als nur inkrementelle Verbesserungen; es demonstriert einen Quantensprung in Leistung, Effizienz und Funktionalität. Seit Jahrzehnte...
Leistungssteigerung von Hybrid-PCS durch SiC-Bauelemente Hybride Leistungsumwandlungssysteme (PCS) sind heute in der Energiespeicherung und beim Laden von Elektrofahrzeugen weit verbreitet. Sie verbinden Batterien, Solarmodule und das Stromnetz. Für eine optimale Funktion muss ein Hybrid-PCS muss schnell, effizient und zuverlässig sein. Hier befindet sich der Ort Siliziumkarbid (SiC)-Bauelemente e...
Hochdichte Rechenzentren, Halbleiterfertigungsanlagen und Offshore-Plattformen offenbaren eine Schwäche vieler siliziumbasierter aktiver Oberschwingungsfilter (AHF) und statischer Blindleistungskompensatoren (SVG): Das Korrekturziel bewegt sich schneller als das thermische Design. Bei 20–25,6 kHz kann ein herkömmlicher Silizium-IGBT-Umrichter zwar Stromverzerrungen korrigieren, doch Schaltverluste...
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