Umstellung von einer herkömmlichen Silizium-basierten Aktiver Oberwellenfilter zu einem, der Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs stellt einen großen Technologiesprung dar, und das Kühlsystem ist direkt davon betroffen. Hier ein detaillierter Blick auf das Kühlsystem eines Aktiver SiC-Oberschwingungsfilter und hebt dabei hervor, wie es sich von herkömmlichen IGBT-basierten AHFs unterscheidet. Der entschei...
Leistungssteigerung von Hybrid-PCS durch SiC-Bauelemente Hybride Leistungsumwandlungssysteme (PCS) sind heute in der Energiespeicherung und beim Laden von Elektrofahrzeugen weit verbreitet. Sie verbinden Batterien, Solarmodule und das Stromnetz. Für eine optimale Funktion muss ein Hybrid-PCS muss schnell, effizient und zuverlässig sein. Hier befindet sich der Ort Siliziumkarbid (SiC)-Bauelemente e...
Hochdichte Rechenzentren, Halbleiterfertigungsanlagen und Offshore-Plattformen offenbaren eine Schwäche vieler siliziumbasierter aktiver Oberschwingungsfilter (AHF) und statischer Blindleistungskompensatoren (SVG): Das Korrekturziel bewegt sich schneller als das thermische Design. Bei 20–25,6 kHz kann ein herkömmlicher Silizium-IGBT-Umrichter zwar Stromverzerrungen korrigieren, doch Schaltverluste...
SiC-Aktiv-Oberwellenfilter: Warum eine ultrakompakte Architektur die Effizienz in modernen industriellen Stromversorgungsanlagen maximiert Schnelle technische Antwort: Ein Silicon Carbide (SiC) Active Harmonic Filter (AHF) nutzt Wide-Bandgap (WBG)-SiC-MOSFET-Leistungsschalter, um Schaltfrequenzen von über 50 kHz zu erreichen – mehr als das Dreifache herkömmlicher Silizium-IGBT-Filter. Diese ultrah...
Kurze Antwort: Angetrieben durch eine Siliziumkarbid-Topologie (SiC-MOSFET) der 3. Generation stellt YT Electric seine modulareAktivfilter (APF / AHF) und statischen Blindleistungskompensatoren (SVG). Die neue SiC-Plattform erreicht einen Gesamtsystem-Wirkungsgrad von ≥ 99,0 %(getestet bis zu 99,4 %) und unterdrückt Betriebsdurchschnittsverluste bis auf0,8 %—über 60 % niedriger als bei herkömmlich...
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