Effizienz-Benchmark für aktive Oberschwingungsfilter aus Siliziumkarbid (SiC): Warum eine Architektur mit Verlusten unter 1 % die Wirtschaftlichkeit der industriellen Netzqualität verändert Kurze technische Antwort: Der Übergang von herkömmlichen Silizium-IGBTs zu Leistungsarchitekturen mit Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFET) in aktiven Oberschwingungsfiltern (AHF) hebt die Effizienz der Leistungs...
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